Память, в основе которой лежит технология фазового перехода, является весьма перспективным направлением исследований. Потенциал ее весьма велик, а в идеале она позволит создать компьютеры, которые будут загружаться практически мгновенно.
Принцип, на котором работает этот вид памяти, основывается на возможности вещества переключаться между кристаллическим и аморфным состоянием. Процесс этот запускается при воздействии тепла, которое появляется под воздействием электричества. В качестве материала для создания памяти на основе фазового перехода используют смесь сразу трех элементов: германия, сурьмы и теллура (Ge2Sb2Te5 или GST). Полученная таким образом память в разы превышает производительность любых известных сегодня твердотельных накопителей, являясь при этом энергонезависимой, сохраняя данные и после отключения питания.
В университете Кэмбриджа ученые смогли сделать очередной шаг в развитии этой технологии. Ученый Стивен Эллиот смог добиться значительного прогресса и улучшить параметры этого вида памяти до пределов, которые были недоступны до сегодняшнего дня. Дело в том, что исследователю удалось сократить время, которое тратится на кристаллизацию ячейки памяти. Это время составляло 1-10 наносекунд. Стивен Эллиот добился показателя в 500 пикосекунд, существенно повысив скорость записи. При этом, как заявляет автор, его память сохраняет данные даже после 10 тыс циклов перезаписи. Вполне возможно, что революция памяти не за горами, а стандартная флеш-память навсегда уйдет в прошлое.